A Samsung Electronics és az SAP SE megnyitotta közös kutatási központját, ahol a mérnökök a következő generációs in-memory computing technológiához használt memória-megoldásokhoz kapcsolódóan végezhetnek kutatási és fejlesztési feladatokat. Az ünnepséget a Samsung Electronics dél-koreai Hwaseong kampuszán tartották Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója, illetve Adaire Fox-Martin, az SAP Asia Pacific Japan elnöke, valamint mindkét cég további vezetőinek részvételével.

 

A kutatóközpont a két vezető nagyvállalat közötti kiterjedt partnerkapcsolat jegyében jött létre. Az együttműködés keretein belül a két cég olyan memóriában tárolt technológiai fejlesztésekre összpontosít, amelyek gyorsabb adatfeldolgozást és az egyre gyorsabban növekvő adatmennyiségek informatív elemzését teszik lehetővé.

 

A cél a memóriában tárolt megoldások globális piacának fejlettebb szintre emelése. Ennek érdekében csúcstechnológiás kutatásokat végeznek az ügyfelek számára kialakított megoldásokban alkalmazható következő generációs kifejlesztéséért, és közösen dolgoznak a kereskedelmi forgalomba hozatalon is.

 

A kutatóközpontban a Samsung és az SAP a kiterjedt technikai támogatáson keresztül globális ügyfelek számára optimalizált memóriában tárolt megoldásokat kínál majd, amelyek kiterjednek többek között az SAP HANA® platformra, valamint a Samsung legújabb nagy teljesítményű, nagy sűrűségű memória-megoldásaira is.

 

A központ kiszolgálói rendszere egy 24 terabájtos (TB) memóriában tárolt platformot használ, amely a Samsung 20 nanométeres feldolgozási csomópontra gyártott 128 gigabájtos (GB) DDR4 3DS (háromdimenziós vertikális) DRAM moduljain alapul. A vállalatok azt tervezik, hogy jövőre 10 nm-es osztályú 256 -os 3DS DRAM modulok alkalmazásával javítják az általános rendszerteljesítményt és energiafelhasználási hatékonyságot, ez pedig olyan memóriában tárolt rendszer kialakításához vezethet, amely még nagyobb befektetési megtérülést jelent a Samsung és az SAP ügyfelei számára.

 

„A legújabb 10 nm-es osztályú DRAM technológiánkkal fejlettebb, rendkívül hatékony megoldást biztosíthatunk az SAP következő generációs memóriában tárolt rendszeréhez” – jelentette ki Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója. – „A Samsung a folyamatos fejlesztéseknek köszönhetően továbbra is őrzi vezető technológiai pozícióját a nagy sűrűségű memóriák piacán.”

 

„A Samsunggal együtt, az SAP HANA platform használatával kifejlesztjük a memóriában tárolt megoldások következő generációját. Ez az együttműködés jól példázza az innováció melletti elköteleződésünket, amelynek köszönhetően ügyfeleink győztes helyzetbe kerülhetnek a digitális gazdaságban” – nyilatkozta Adaire Fox-Martin, az SAP Asia Pacific Japan elnöke.